如上图所示，F💤✂E-FET依靠具有低矫顽电压的铁电材料来产生“有效”的超陡亚阈值斜率，该斜率小‼于硅晶体管®。
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如上图所示，F💤✂E-FET依靠具有低矫顽电压的铁电材料来产生“有效”的超陡亚阈值斜率，该斜率小‼于硅晶体管®。
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